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Chengdu Taiyu Industrial Gases Co., Ltd

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Elektronische Gase

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China Chengdu Taiyu Industrial Gases Co., Ltd zertifizierungen
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Elektronische Gase

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Elektronisches chemisches Gas-medizinische Gase Gas-Krypton-Kr mit Reinheit 99,999%

Elektronisches chemisches Gas-medizinische Gase Gas-Krypton-Kr mit Reinheit 99,999%

Elektronisches chemisches Gas-medizinische Gase Gas-Krypton-Kr mit Reinheit 99,999% Spezifikation CAS Nr.: 7439-90-9 EINECS Nr.: 231-098-5 UNO Nr.: UN1056 Reinheit: 99,999% Punkt-Klasse: 2,2 Auftritt: Farblos ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:02
Gast die elektronischen Gase UN1070, die Stickstoff-Monoxid oxidieren, N2O CAS 10024-97-2

Gast die elektronischen Gase UN1070, die Stickstoff-Monoxid oxidieren, N2O CAS 10024-97-2

Elektronische Gas-Stickstoff-Monoxid N2O benutzt für Elektronik mit 99,9% Reinheit CAS-Nr. 10024-97-2 Stärke *Decomposed von NH4NO3-, reiner und stabilerqualität, keine schädlichen componets, total sicher für ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:05
Elektronisches Gas-industrielles N2-komprimierte Stickstoff-Gasflasche-Verpackung CASs 7727-37-9

Elektronisches Gas-industrielles N2-komprimierte Stickstoff-Gasflasche-Verpackung CASs 7727-37-9

Elektronisches Gas-Stickstoff-N2 für analytische Instrument-Anwendungen mit 99,9999 Reinheit CAS-Nr. 7727-37-9 Stickstoff ist ein chemisches Element mit Symbol N und Ordnungszahl 7. Es ist das hellste ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:05
74-98-6 Gas des Kohlenwasserstoff-Propan-C3H8, verflüssigtes komprimiertes Gas UN1978

74-98-6 Gas des Kohlenwasserstoff-Propan-C3H8, verflüssigtes komprimiertes Gas UN1978

Gas-Reinheit des Kohlenwasserstoff-Propan-C3H8 99,5% UN1978 verwendet für elektronische Gase Propan (/ˈproʊpeɪn/) ist ein Dreikohlenstoffalkan mit der molekularen Formel C3H8. Es ist ein Gas mit Standardtempera... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:05
7440-01-9 elektronische Gas-seltenes Edelgas-farbloses Neon-Ne für Lasertechnologie

7440-01-9 elektronische Gas-seltenes Edelgas-farbloses Neon-Ne für Lasertechnologie

Elektronische Gas-seltenes Edelgas-farbloses Neon-Ne mit Reinheit 99,999% für Lasertechnologie Spezifikation CAS Nr.: 7440-01-9 EINECS Nr.: 231-110-9 UNO Nr.: UN1065 Reinheit: 99,999% Punkt-Klasse: 2,2 Auftritt... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:04
Elektronische Wasserstoff-Gas-Sicherheit des Grad-H2 40 Liter-Zylinder/50 Liter Zylinder-Verpacken-

Elektronische Wasserstoff-Gas-Sicherheit des Grad-H2 40 Liter-Zylinder/50 Liter Zylinder-Verpacken-

Elektronisches Gas des Grad-Wasserstoff-H2 benutzt in der Halbleiter-Herstellung Spezifikation CAS Nr.: 1333-74-0 EINECS Nr.: 215-605-7 UNO Nr.: UN1049 Reinheit: 99.995%-99.999% Punkt-Klasse: 2,1 Auftritt: ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:04
Geschmackloses farbloses Gas hoher Reinheitsgrad-Elektron-Grad-Kr Kryptonite Gas-7439-90-9

Geschmackloses farbloses Gas hoher Reinheitsgrad-Elektron-Grad-Kr Kryptonite Gas-7439-90-9

Krypton-Kr-Gas des Elektron-Grad-hohen Reinheitsgrad-99,999% im Elektron-Gebrauch Spezifikation CAS Nr.: 7439-90-9 EINECS Nr.: 231-098-5 UNO Nr.: UN1056 Reinheit: 99,999% Punkt-Klasse: 2,2 Auftritt: Farblos ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:04
CASs 10294-35-1 Gas des Bor-Trichlorid-BCL3 für Halbleiter-Herstellungs-Plasma-Radierung

CASs 10294-35-1 Gas des Bor-Trichlorid-BCL3 für Halbleiter-Herstellungs-Plasma-Radierung

Elektronisches Grad-Bor-Trichlorid BCL3 benutzt in der Halbleiter-Herstellungs-Plasma-Radierung Spezifikationen CAS Nr.: 10294-35-1 EINECS Nr.: 233-658-4 UNO Nr.: UN1741 Reinheit: 99,999% Punkt-Klasse: 2,3 ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:03
10102-43-9 gast hohes reines Stickstoffmonoxid-Gas, KEIN Halbleiter farbloses

10102-43-9 gast hohes reines Stickstoffmonoxid-Gas, KEIN Halbleiter farbloses

Elektron-Grad-Stickstoffmonoxid KEINE Gas-Reinheit 99,99% verwendet im Halbleiter Spezifikationen CAS Nr.: 10102-43-9 EINECS Nr.: 233-271-0 UNO Nr.: UN1660 Reinheit: 99,99% Punkt-Klasse: 2,3 Auftritt: Farblos ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:02
Gas CAS 7783-58-6 Mikroelektronik-elektronisches Gas-Germanium Tetrafluoride-GeF4

Gas CAS 7783-58-6 Mikroelektronik-elektronisches Gas-Germanium Tetrafluoride-GeF4

Gas Elektron-Grad-Germanium Tetrafluoride-GeF4 für Mikroelektronik Spezifikationen CAS Nr.: 7783-58-6 EINECS Nr.: 232-011-3 UNO Nr.: UN3304 Reinheit: ≥99.9% Punkt-Klasse: 2,3 Auftritt: Farblos Grad-Standard: ... Lesen Sie weiter
2020-02-17 14:05:02
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